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CPH6355
--4
--3.0
Ta=25 ° C
ID -- VDS
.
0V
--3.0
VDS= --10V
ID -- VGS
--2.5
--2.0
--1.5
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
VGS= --3.0V
--1.0
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
500
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16553
Ta=25 ° C
500
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16554
450
450
400
350
ID= --0.5A
--1.5A
400
350
--0.5
, I D=
4.0V
= --
0.5A
I = --
4.5V, D
= --
V, I D= --
= --10.0
300
250
200
150
100
50
300
250
200
150
100
50
VGS
VGS
V GS
A
1.5A
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT16555
VDS= --10V
--10
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16556
5
3
2
-25
3
2
1.0
7
Ta
=-
° C
75
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
5
25
° C
3
2
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16557
VDD= --15V
VGS= --10V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16558
f=1MHz
3
3
2
10
td(off)
tf
2
100
Ciss
7
5
3
td(on)
tr
7
5
3
C os s
Crss
2
2
1.0
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--10
10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT16559
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16560
No.8933-3/6
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MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6
CPH6445-TL-E
MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6
CPPD-0.85-2
FREQ DOUBLER SMA 0.85~2.0GHZ
CPPD-2-4
FREQ DOUBLER SMA 2.0~4.0GHZ
CR4170-5
TRANSD THREE ELEMENT 0-5AAC IN
CR4210-50
SENSOR CURRENT 50A 24V BI MOD
相关代理商/技术参数
CPH6355-TL-W
功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:169 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000
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